価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST63699830 | 226 | 1 | 13h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFD120PBF | 0 | 2500 | Bulk | 10h | |||||||
| TTI Asia | IRFD120PBF | 連絡先 | 1d | |||||||||
| TTI Europe | IRFD120PBF | 0 | 100 | Tube | 22h | |||||||
| element14 APAC | IRFD120PBF | 0 | 1 | 1d |
CADモデル
製造元 Vishay IRFD120PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18
説明
Vishay IRFD120PBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HexDIP
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.3A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRFD120PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:10.4A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance360 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max270 mΩ
Recovery Time260 ns
Resistance270 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time6.8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.57 mm
Length5 mm
Width6.29 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント