Vishay IRFBE30PBF

Name: Vishay IRFBE30PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFBE30PBF

IRFBE30PBF N-channel Mosfet Transistor, 4.1 A, 800 V, 3-PIN TO-220AB

$ 0.964

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	63J6695	243	1		3.170	2.400	2.020	1.900	1.900	2d
Newark		IRFBE30PBF	236	1		3.170	2.400	2.020	1.900	1.900
Arrow Electronics	3	IRFBE30PBF	538	1		1.788	1.788	1.447	1.280	1.280
Verical	5	IRFBE30PBF	128	7			0.353	0.353	0.353	0.353
Future Electronics		IRFBE30PBF	7,590	25	Tube			0.755	0.740	0.685

在庫履歴

3か月間の傾向 : +11.83%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Vishay IRFBE30PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet8ページ2年前

Datasheet9ページ14年前

Upverter

Newark

element14 APAC

Future Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

+11.83%

CADモデル

製造元 Vishay IRFBE30PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay IRFBE30PBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRFBE30PBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.1 A, 800 V, 3-PIN TO-220AB

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

N Channel Mosfet, 800V, 4.1A To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:4.1A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRFBE30PBF.

Newark

MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:4.1A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:16A; Lead Spacing:2.54mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:125W; Power, Pd:125W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:800V

Farnell