CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
関連部品
InfineonIRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK "P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK"
InfineonIRF9Z34NSPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-20V;-55d
InfineonIRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK "P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK"
説明
Vishay IRF9Z34SPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single P-Channel 60 V 0.14 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | Siliconix / Vishay IRF9Z34SPBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:18A; On Resistance Rds(On):0.14Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: No
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance140 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max140 mΩ
Resistance140 mΩ
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm