Vishay IRF820PBF

Name: Vishay IRF820PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF820PBF

Single N-Channel 500 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

$ 0.483

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	63J7404	426	1		2.170	1.440	1.030	0.793	0.793	2d
Newark		IRF820PBF	426	1		2.170	1.440	1.030	0.793	0.744
Arrow Electronics		IRF820PBF	250	1		0.420	0.420	0.420	0.420	0.420
Verical	2	IRF820PBF	250	3			0.583	0.583	0.583	0.583
Future Electronics		IRF820PBF	5,331	40	Tube			0.480	0.460	0.430

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Farnell

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay IRF820PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 500 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, 500V, 2.5A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:2.5°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Pd:40W; Pulse Current Idm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC