CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1987-05-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2015-11-20
LTD Date2016-05-20
関連部品
説明
Vishay IRF510の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 5.6A Tc 5.6A 43W 9.4ns
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:5.6A; On Resistance, Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: No
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance540 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation20 W
Rds On Max540 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm