価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | RN1401LFCT-ND | 1,604 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | RN1401,LF | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| Arrow Electronics | RN1401,LF | 0 | 3K | |||||||||
| Win Source | WS-RN1401,LF | 16,859 | 505 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | RN1401,LF | 28,463 | 7 | Tape & Reel | 9h |
CADモデル
製造元 Toshiba RN1401,LF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
ROHMDTC144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTA115GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
説明
Toshiba RN1401,LFの詳細は販売業者から提供されます。
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
Small Signal Bipolar Transistor
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
メーカーの別名
Toshibaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Toshiba は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz