価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 2SC6026MFVGRL3FCT-ND | 17,674 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | 2SC6026MFVGR,L3F | 0 | 8K | 9h | ||||||||
| Mouser | 757-2SC6026MFVGRL3F | 17,540 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | 2SC6026MFVGR,L3F | 45,497 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-2SC6026MFVGR,L3F | 47,270 | 1180 | 7h |
CADモデル
製造元 Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
Toshiba 2SC6026MFVGR,L3Fの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R / TRANS NPN 50V 0.15A VESM
250mV@ 10mA,100mA NPN 150mW 5V 100nA 60V 50V 150mA SOT-723-3 1.2mm*800¦Ìm*500¦Ìm
50V 150mW 150mA 200@2mA6V 60MHz 150mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-723 Bipolar Transistors - BJT ROHS
メーカーの別名
Toshibaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Toshiba は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingSilver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency60 MHz
Dimensions
Height550 µm
Length1.2 mm
Width800 µm