CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD25211W1015 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
VishaySI5515CDC-T1-E3
Dual N/P-Channel 20 V 2.1/1.3 W 11.3/11 nC Silicon SMT Mosfet - 1206-8 ChipFET
Diodes Inc.DMG3415U-7
P-Ch MOSFET 20V 4A 39mΩ@4A,4.5V 9.1nC@4.5V 294pF@10V SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
説明
Texas Instruments CSD25211W1015の詳細は販売業者から提供されます。
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection 6-DSBGA -55 to 150
1W(Ta) 6V 1.1V@250µA 4.1nC@4.5V P-Ch MOSFET 20V 33mΩ@1.5A,4.5V 3.2A 570pF@10V BGA SMD 1.5mm × 1mm × 625μm
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, -3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH JFET, -20V, 3.2A, 33mR, WLP 1x1.5mm, Surface Mount
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
P-CHANNEL; Configuration: SINGLE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1 W; Maximum Drain-Source On Resistance: .044 ohm; Moisture Sensitivity Level (MSL): 1;
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)-3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance570 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max33 mΩ
Rise Time8.8 ns
Turn-Off Delay Time36.9 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height1 mm
Length1.5 mm
Thickness2 mm
Width1.8 mm