CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD19535KCS のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 22 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
関連部品
InfineonIPP030N10N5AKSA1
IPP030N10N5 Series 100 V 120 A OptiMOS 5 Power Transistor MOSFET - TO-220-3, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
説明
Texas Instruments CSD19535KCSの詳細は販売業者から提供されます。
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 3.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
300W(Tc) 20V 3.4V@250µA 101nC@10V N-Ch MOSFET 100V 3.6mΩ@100A,10V 150A 7.93nF@50V TO-220-3 TH 9.25mm H
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 150A, TO-220-3; Polarité transistor: Canal N; Courant de drain Id: 150A; Tension Vds max..: 100V; Résistance Rds(on): 0.0031ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 2.7V; Dissipation de pui
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 150A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)187 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.93 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max3.6 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm