CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD16323Q3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD16323Q3の評価キットとリファレンスデザインを表示します。
参考設計
関連部品
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
説明
Texas Instruments CSD16323Q3の詳細は販売業者から提供されます。
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON / Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 25V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
the nexfet power mosfet has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5v gate drive applications.
Mosfet, N Ch, 25V, 60A, 8Son; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0044Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.1V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD16323Q3
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageQFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time5.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.3 mm
Thickness1 mm
Width3.3 mm