CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD13380F3T のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD13380F3Tの評価キットとリファレンスデザインを表示します。
評価キット
説明
Texas Instruments CSD13380F3Tの詳細は販売業者から提供されます。
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
500mW(Ta) 8V 1.3V@ 250µA 1.2nC@ 4.5 V 1individualNChannel 12V 76mΩ@ 400mA,4.5V 3.6A 156pF@6V PICOSTAR-3 SMD mount 730μm*640μm*350μm
MOSFET, N-CH, 12V, 3.6A, PICOSTAR; Polarité transistor: Canal N; Courant de drain Id: 3.6A; Tension Vds max..: 12V; Résistance Rds(on): 0.063ohm; Tension, mesure Rds: 4.5V; Tension de seuil Vgs: 850mV; Dissipation de puissance
MOSFET, N-CH, 12V, 3.6A, PICOSTAR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:PICOSTAR; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:FemtoFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height350 µm
Length690 µm
Thickness345 µm
Width600 µm