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Texas Instruments CSD13302W

12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
$ 0.137
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Texas Instruments

Datasheet15ページ11年前
Official datasheet0ページ0年前
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CADモデル

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

エンジニアリングリソース

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関連部品

Vishay NChannelMOSTube, Vds=12 V, 4 A, SC-70encapsulation, surface mount
VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -12 V, 0.011 ohm, -4.5 V, -400 mV
onsemiFDMA908PZ
P-Channel PowerTrench® MOSFET -12V, -12A, 12.5mΩ
Diodes Inc.DMP1022UFDE-7
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R / MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Diodes Inc.DMP1022UFDF-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Single P-Channel Power MOSFET, -12V, -5A, 43mΩ

説明

Texas Instruments CSD13302Wの詳細は販売業者から提供されます。

12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA / N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
1.8W(Ta) 10V 1.3V@ 250µA 7.8nC@ 4.5 V 1individualNChannel 12V 17.1mΩ@ 1A,4.5V 1.6A 862pF@6V DSBGA-4 SMD mount 1mm*1mm*620μm
N-CHANNEL; Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1.8 W; Terminal Position: BOTTOM; Peak Reflow Temperature (C): 260;

メーカーの別名

Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • TI
  • TEXAS
  • TEXAS INST
  • TEXAS INSTR
  • TEXAS INSTRUMENT
  • TEXAS INSTRUMENTS INC
  • TEXAS INS
  • TEXAS INSTRU
  • TEXAS INSTRUMEN
  • TI/NS
  • TEX
  • Texas Instruments (TI)
  • TEXASIN
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
  • TEXINS
  • TEXAS INTRUMENTS
  • TEAXS
  • TEXASI
  • TI Texas Instruments
  • TEXAS INSTRUM
  • TEXAS USD
  • TEXAS INSRUMENTS
  • TEXAS INSRUMENT
  • TEXAS INSTUMENTS
  • TI-ROHS
  • Texas Instr.
  • Texas Instruments Inc.