CADモデル
製造元 STMicroelectronics STW65N045M9-4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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説明
STMicroelectronics STW65N045M9-4の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package
N-Ch MOSFET 650V 54A 312W 30V 80nC@10V 45mΩ@10V 4.61nF@400V TO-247-4 TH
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
其他, MOSFET，N-CH，650V，54A，TO-247;
N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)54 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1