CADモデル
製造元 STMicroelectronics STW46NF30 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
関連部品
InfineonIRFP4137PBF
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
International RectifierAUIRFP4409
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFP4229PBF
MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
説明
STMicroelectronics STW46NF30の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Ch MOSFET 300V 42A 75mΩ@17A,10V 90nC@10V 20V 4V@250µA 3.2nF@25V 300W(Tc) TO-247-3 TH
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation220 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns