STMicroelectronics STW3N150

Name: STMicroelectronics STW3N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW3N150

N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-247 package

$ 2.196

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		STW3N150	1,200	1		1.806	1.739	1.714	1.714	1.714	11h
Newark		STW3N150	350	1		5.360	3.550	3.240	3.090	3.090
Arrow Electronics		STW3N150	5,913	1		2.810	2.810	2.265	2.199	2.046
Verical	2	STW3N150	5,912	4			2.800	2.258	2.192	2.039
Future Electronics		STW3N150	390	30	Tube			2.640	2.540	2.490

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N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-247 package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247

Win Source

Single N-Channel 1500 V 140 W 29.3 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 Ohm, TO-247, 3 Pins, Through Hole

Avnet

MOSFET, N CH, 1500V, 2.5A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.3A; Drain Source Voltage Vds: 1.5kV; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe

Farnell

N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 ohm typ., PowerMESH Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, N Channel, 1.5Kv, 2.5A, To-247-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1.5Kv; Resistencia De Activación Rds(On):6Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STW3N150

Newark