価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13980-5-ND | 590 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STU7NF25 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | STU7NF25 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 511-STU7NF25 | 222 | 1 | Tube | ||||||||
| Win Source | WS-STU7NF25 | 7,200 | 55 | 14h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STU7NF25 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonAUIRFU4292
Automotive Q101 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak Package, IPAK-3, RoHS
説明
STMicroelectronics STU7NF25の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 250 V 0.29 Ohm typ., 8 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in IPAK package
72W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 16nC@ 10 V 1N 250V 420m¦¸@ 4A,10V 8A 500pF@25V IPAK,TO-251 6.2mm
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin IPAK Tube
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STU7NF25
MOSFET N-CH 250V 0.29Ohm 8A STripFET II
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-251AA
Power MOSFETs, 250V, 8A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max420 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time13 ns