CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
InfineonIPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 / N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
STMicroelectronicsSTU9HN65M2
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
説明
STMicroelectronics STU7N65M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
60W(Tc) 25V 4V@ 250µA 9nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 1.15Ω@ 2.5A,10V 5A 270pF@100V IPAK，TO-251 Through hole mounting
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.98ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.15 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max1.15 Ω
Resistance980 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8 ns