価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STU12N60M2 | 3,000 | 30 | Tube | ||||||||
| Avnet | STU12N60M2 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| Mouser | 511-STU12N60M2 | 2,951 | 1 | Tube | ||||||||
| HQonline | DS0077634 | 3,000 | 20 | >1w | ||||||||
| Microchip USA | STU12N60M2 | 361 | 3K | Tube | 7d |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STU12N60M2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
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説明
STMicroelectronics STU12N60M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
N-Channel 600 V 450 mOhm Through Hole MDmesh M2 Power Mosfet - IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance538 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max450 mΩ
Schedule B8541290080