CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP35NF10 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
関連部品
InfineonIPP086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
説明
STMicroelectronics STP35NF10の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - TO-220 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
STP35NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 115 W
Transistor N-Channel Power MOSFET 100V 40A
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation115 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 mΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm