CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP2NK90Z のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
説明
STMicroelectronics STP2NK90Zの詳細は販売業者から提供されます。
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
STP2NK90Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.1 A, 900 V, 3-PIN TO-220
N-channel 900 V, 5 Ohm typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
900V 2.1A 70W 6.5´Î@10V1.05A 4.5V@50Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=900 V, 2.1 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.1A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 6.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio
The SuperMESH(TM) series is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH(TM) layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh(TM) products.
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Current Rating2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance6.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance485 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max6.5 Ω
Resistance5 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm