価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STP15N65M5 | 3,698 | 20 | Tube | ||||||||
| TME | STP15N65M5 | 100 | 1 | 20h | ||||||||
| DigiKey | 497-12936-5-ND | 817 | 1 | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STP15N65M5 | 0 | 5 | Bulk | 1d | |||||||
| Avnet | STP15N65M5 | 0 | 1K | 9h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP15N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTP18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
説明
STMicroelectronics STP15N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
STP15N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 710 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
125W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 650V 340m¦¸@ 5.5A,10V 11A 810pF@100V TO-220
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance810 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max340 mΩ
Resistance340 MΩ
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm