CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP14NF10 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
説明
STMicroelectronics STP14NF10の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 100 V, 0.115 Ohm, 15 A STripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 15 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP14NF10
N-Channel 100 V 0.13 O Flange Mount STripFET II Power MosFet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-CHANNEL LOW GATE CHARGE STRIP FET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N CH 100V 15A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; On State Resistance:115mohm; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Case Style:TO-220; Cont Current Id:7A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Typ Voltage Vds:100V; Typ Voltage Vgs th:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max130 mΩ
Resistance130 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm