STMicroelectronics STP12NK30Z

Name: STMicroelectronics STP12NK30Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP12NK30Z

N-channel 300V 0.36 Ohm 9A TO-220 Zener-protected Super-mesh Power Mosfet

$ 1.07

Production

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		STP12NK30Z	2,000	1		1.142	1.142	1.123	1.028	0.981
Verical		STP12NK30Z	1,992	12				1.121	1.027	0.980
Future Electronics	2	STP12NK30Z	500	20	Tube			1.360	1.320	1.290
TME	2	STP12NK30Z	143	1		2.820	1.410	1.220	1.060	0.930	3h
DigiKey		497-7502-5-ND	954	1	Tube	3.410	3.410	1.539	1.155	0.996

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Future Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

STMicroelectronics STP12NK30Zの詳細は販売業者から提供されます。

N-CHANNEL 300V 0.36 OHM 9A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPER-MESH POWER MOSFET

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Power MOSFET, N Channel, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 300V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation

Farnell

Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:300V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP12NK30Z

Newark