CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP105N3LL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTP90NF03L
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP120N4F6
N-channel 40 V, 3.8 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
説明
STMicroelectronics STP105N3LLの詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 30 V, 2.7 mOhm typ., 150 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Single N-Channel 30 V 140 W 42 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-Channel 30V 80A 3.5mΩ@40A,10V 20V 2.5V@250µA 42nC@4.5V 3.1nF@25V 140W(Tc) TO-220 TH 9.15mm H
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time23.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time24.5 ns
Turn-On Delay Time19 ns