CADモデル
製造元 STMicroelectronics STN4NF20L のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
STMicroelectronics STN4NF20Lの詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 200 V, 1.1 Ohm typ., 1 A STripFET(TM) II Power MOSFET in SOT-223 package
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
200 V, 1 A, 1.1 OHM, SOT-223 LOW GATE CHARGE STRIPFET II N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223-4; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 3.3W; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: StripFET II Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.55 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Dimensions
Height1.9 mm