CADモデル
製造元 STMicroelectronics STL2N80K5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD3NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
説明
STMicroelectronics STL2N80K5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 800 V, 3.7 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
MOSFET, N-CH, 800V, 1.5A, POWERFLAT ROHS COMPLIANT: YES
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 800V, 1.5A, PowerFLAT 5x6 VHV, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
N-CH 800V 1,5A 4500mOhm PFL5x6
MOSFET, N-CH, 800V, 1.5A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; P
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance95 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max4.9 Ω
Schedule B8541290080