CADモデル
製造元 STMicroelectronics STL21N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTP13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP20NF06L
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsVNP14NV04-E
VNP14NV04 Series 40 V 35 mOhm Fully Autoprotected Power MOSFET - TO 220
説明
STMicroelectronics STL21N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.175 Ohm, 2.7 A PowerFLAT(TM) 8x8 HV MDmesh(TM) V power MOSFET
Mosfet, N-Ch, 650V, 17A, Powerflat Hv Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STL21N65M5
MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
2.7 A 650 V 0.19 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 650V, 2.7A, PowerFLAT 8x8 HV, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 17A, POWERFLAT HV;
MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns