価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | STH80N10F7-2 | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-STH80N10F7-2 | 8,076 | 40 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | STH80N10F7-2 | 14,916 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Utmel Electronic | 2381-STH80N10F7-2 | 4,999 | 10h | |||||||||
| Aztech | STH80N10F7-2 | 13,424 | 21h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH80N10F7-2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
InfineonAUIRFS4410Z
MOSFET, N-CH, 100V, 97A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTB100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
説明
STMicroelectronics STH80N10F7-2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH80N10F7-2 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 / Ultra low on-resistance
Lv Mosfet Trench |Stmicroelectronics STH80N10F7-2
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, 175DEG C, 110W;
Power MOSFETs, 100V, 80A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width9.17 mm