価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STH320N4F6-6 | 14,000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STH320N4F6-6 | 14,000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-13838-1-ND | 903 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STH320N4F6-6 | 0 | 1K | 10h | ||||||||
| Mouser | 511-STH320N4F6-6 | 536 | 1 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH320N4F6-6 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFS7434TRL7PP
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
InfineonIRLS3034TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH410N4F7-6AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
説明
STMicroelectronics STH320N4F6-6の詳細は販売業者から提供されます。
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 40 V, 1.1 mOhm typ., 200 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-6 package
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 240nC@ 10 V 1N 40V 1.3m¦¸@ 80A,10V 200A 13.8nF@15V H2PAK-6 4.8mm
Lv Mosfet Trench |Stmicroelectronics STH320N4F6-6
Automotive Power Discrete, 40V, 200A, H2PAK-6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation340 W
Rds On Max1.3 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.25 mm
Width10.4 mm