価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13873-1-ND | 292 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STH270N8F7-2 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STH270N8F7-2 | 0 | 2 | Bulk | 15h | |||||||
| Avnet | STH270N8F7-2 | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | STH270N8F7-2 | 0 | 1K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH270N8F7-2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTH310N10F7-2
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH275N8F7-2AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
説明
STMicroelectronics STH270N8F7-2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH270N8F7-2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 180 A, 80 V, 3-PIN H2PAK-2
MOSFET, N-CH, 80V, 180A, 175DEG C, 315W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 315W; Transistor Case Style: H2PAK-2; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET F7 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.8 mm