CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH175N4F6-2AG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
関連部品
InfineonIPB100N04S4H2ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
VishaySQM120N04-1M9_GE3
VISHAY SQM120N04-1M9-GE3MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
InfineonIPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK N-Channel 40 V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB120N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
VishaySQM120N04-1M7L_GE3
375KW 20V 2.5V 190nC@ 10V 40V 1.7mΩ@ 10V 11.685nF@ 20V TO-263 glue mount 4.83mm(height)
説明
STMicroelectronics STH175N4F6-2AGの詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STH175N4F6-2AG N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 40 V, 3-PIN H2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Ceramic Capacitors 1000pF Radial, Disc ±10% B Bulk 1 (Unlimited) General Purpose Through Hole -25°C~105°C CAP CER 1000PF 2KV RADIAL
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.735 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max2.4 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width9.17 mm