CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGW75M65DF2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
説明
STMicroelectronics STGW75M65DF2の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor, Igbt, 650V, 120A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW75M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MIC860 Series 5.25 V 4 MHz Teeny Ultra Low Power Operational Amplifier - SC-70-5
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE / IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 468 W Through Hole TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Transistor, IGBT, 650V, 120A, TO-247;
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
468W 1.65V 650V 120A TO-247-3 20.15mm
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080