STMicroelectronics STGW40H120DF2

Name: STMicroelectronics STGW40H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW40H120DF2

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

$ 3.45

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGW40H120DF2	598	1		9.520	6.550	6.100	5.930	5.930
TME	2	STGW40H120DF2	1	1		7.290	5.750	5.280	5.280	5.280	8h
DigiKey		497-14715-5-ND	128	1	Tube	8.110	8.110	4.693	3.391	3.233
Future Electronics		STGW40H120DF2	0	30	Tube			3.580	3.450	3.380
Avnet		STGW40H120DF2	0	600					3.274	3.104	12h

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説明

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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STMicroelectronics

468W 80A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3

SHENGYU ELECTRONICS

468W 2.1V 2.6V@ 15V,40A 80A TO-247-3 24.45mm

UnikeyIC

Very fast recovery antiparallel diode

Win Source

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.1V; Power Dissipation Pd: 468W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin

Farnell