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STMicroelectronics STGW30H60DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
$ 1.217
Production
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販売業者
SKU
最小
パッケージ
バルク価格
Newark
STGW30H60DFB
151
1
USD
3.570
2.850
2.130
1.630
1.540
Rochester Electronics
STGW30H60DFB
300
USD
1.550
1.290
1.150
8h
Verical
4
STGW30H60DFB
592
592
USD
0.905
0.905
Arrow Electronics
2
STGW30H60DFB
233
1
USD
1.739
1.739
1.420
1.412
1.412
TME
2
STGW30H60DFB
222
1
USD
2.850
1.900
1.620
1.540
1.540
21h

データシート & ドキュメント

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IHS

Datasheet21ページ7年前

Future Electronics

STMicroelectronics

Farnell

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3D
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サプライチェーン

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
詳細

説明

STMicroelectronics STGW30H60DFBの詳細は販売業者から提供されます。

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STMicroelectronics
260W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
EBEE
Igbt, Single, 600V, 60A, To-247; |Stmicroelectronics STGW30H60DFB
Newark
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Avnet
STMicroelectronics IGBT Max 600V Max 60A
UnikeyIC
Short-circuit rugged IGBT, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
DigiKey
IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-247; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.55V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Farnell

画像

element14 APAC
Augswan
TME
Lanka Micro
Future Electronics

メーカーの別名

STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
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  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
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  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics