CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGW15H120DF2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG7PH30K10DPBF
IGBT 1200V 30A 180W TO247AC IGBT Trench 1200 V 30 A 180 W Through Hole TO-247AC
説明
STMicroelectronics STGW15H120DF2の詳細は販売業者から提供されます。
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Very fast recovery antiparallel diode | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
259W 2.1V Freestanding 2.6V@ 15V,15A 30A TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGW15H120DF2
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current15 A
Forward Voltage3.5 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time231 ns