CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGFW30H65FB のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
STMicroelectronics STGFW30H65FBの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 58000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
TRENCH GATE FIELD-STOP 650V 30A HIGH SPEED IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGFW30H65FB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.961991 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation58 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1