データシート & ドキュメント
STMicroelectronics STGF7H60DFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート2年前
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGF7H60DF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
説明
STMicroelectronics STGF7H60DFの詳細は販売業者から提供されます。
IGBT 600V 14A 24W TO-220FP / IGBT Trench Field Stop 600 V 14 A 24 W Through Hole TO-220FP
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 24000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current7 A
Forward Voltage1.5 V
Max Collector Current14 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time136 ns