CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGF4M65DF2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
説明
STMicroelectronics STGF4M65DF2の詳細は販売業者から提供されます。
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Trans IGBT Chip N 650V 8A 3-Pin TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
M Series 650 V 8 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1