価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STFI15N65M5 | 291 | 600 | Tube | 3d | |||||||
| Win Source | WS-STFI15N65M5 | 20 | 35 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI15N65M5 | 6,983 | 7 | Tube | 1d | |||||||
| Utmel Electronic | 2381-STFI15N65M5 | 1,406 | Tube | 2h | ||||||||
| Component Stockers USA | STFI15N65M5 | 69 | >1wk |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STFI15N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
関連部品
STMicroelectronicsSTI18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTI14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
説明
STMicroelectronics STFI15N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI15N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max340 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time12.5 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm