価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-12240-1-ND | 2,197 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Mouser | 511-STD70N6F3 | 595 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | STD70N6F3 | 318 | 600 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-STD70N6F3 | 13,000 | 150 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | STD70N6F3 | 17,212 | 7 | Tape & Reel | 2d |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD70N6F3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
STMicroelectronicsSTD60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
InfineonAUIRFR1010Z
Advanced Process Technology / Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
説明
STMicroelectronics STD70N6F3の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
110W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 60V 10.5m¦¸@ 35A,10V 70A 2.2nF@25V TO-252
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STD70N6F3
N-channel 60 V, 8.0 mOhm, 70 A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Power MOSFETs, 60V, 70A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max10.5 mΩ
Resistance10.5 MΩ
Schedule B8541290080