CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD6NF10T4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2024-07-27
LTD Date2025-01-27
関連部品
onsemiIRLR120ATF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.4A Tc 8.4A 35W 9ns
STMicroelectronicsSTD10NF10T4
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
説明
STMicroelectronics STD6NF10T4の詳細は販売業者から提供されます。
N-CHANNEL 100V - 0.22 OHM - 6A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STD6NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6 A, 100 V, 3-PIN TO-252
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 100V, 6A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 30W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 6A; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance280 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm