CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD3N40K3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
説明
STMicroelectronics STD3N40K3の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in a DPAK package
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD3N40K3
MOSFET N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
Power MOSFETs, 400V, 2A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance165 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7 ns