価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB80NF55-06T4 | 10,000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB80NF55-06T4 | 10,000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-6558-1-ND | 1,550 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB80NF55-06T4 | 0 | 1K | 11h | ||||||||
| Future Electronics | STB80NF55-06T4 | 0 | 1K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB80NF55-06T4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
STMicroelectronics STB80NF55-06T4の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 40 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N Channel, 55V, 80A, D2Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB80NF55-06T4
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm