CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB80NF55-06-1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
関連部品
InfineonIPI80N06S207AKSA2
55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI80N04S404AKSA1
40V, N-Ch, 4.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI80N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 / N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
説明
STMicroelectronics STB80NF55-06-1の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STB80NF55-06-1
80 A 55 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Automotive Power Discrete, 55V, 80A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns