CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB80N4F6AG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIPB80N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPB70N04S406ATMA1
40V, N-Ch, 6.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N04S306ATMA1
40V, N-Ch, 5.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
説明
STMicroelectronics STB80N4F6AGの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK / N-Channel 40 V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-263AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Input Capacitance2.15 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max6 mΩ
Schedule B8541290080