CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB4NK60Z-1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
説明
STMicroelectronics STB4NK60Z-1の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
STB4NK60 Series 600 V 4 A 70 W Through Hole N-Ch Power MOSFET - I2PAK
4 A 600 V 2 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STB4NK60Z-1
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
MOSFET, N-CH, 600V, 4A, I2PAK;
Power MOSFETs, 600V, 4A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 26nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 2Ω@ 2A,10V 4A 510pF@25V I2PAK Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time9.5 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns