STMicroelectronics STB36NM60ND

Name: STMicroelectronics STB36NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB36NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

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Distributor		SKU		Min	Pkg
element14 APAC	2	STB36NM60ND	0	1	Cut Tape	9.386*	6.202*	5.178*	4.594*	4.594*	8h
Farnell	3	STB36NM60ND	0	1	Cut Tape	6.899*	6.899*	6.899*	6.899*	6.899*	5h
Component Stockers USA		STB36NM60ND	1,367			6.090	5.110	4.140	4.140	4.140	1d
Win Source		WS-STB36NM60ND	7,000	9			6.035	4.023	4.023	4.023	20h
Worldway Electronics		STB36NM60ND	16,062	7	Tape & Reel		2.236	2.168	2.053	2.053	19h

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IHS

Datasheet18ページ13年前

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-10-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-12-01

LTD Date2024-06-01

説明

STMicroelectronics STB36NM60NDの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Win Source

STB36NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package

STMicroelectronics

Single N-Channel 600 V 0.11 Ohm 80.4 nC 190 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 600V, 29A, 150DEG C, 190W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:

element14 APAC