CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB18NF30 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
InfineonIPB17N25S3100ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
説明
STMicroelectronics STB18NF30の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 330 V 180 mOhm Surface Mount Power MOSFET - D2PAK
Automotive-grade N-channel 330 V, 160 mOhm typ., 18 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 330V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-263AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage330 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)330 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage330 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 MΩ
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant