STMicroelectronics STB18N60DM2

Name: STMicroelectronics STB18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB18N60DM2

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

$ 1.204

EOL

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STB18N60DM2	1,635	1	Cut Tape	3.830	2.670	2.010	1.680	1.680
Arrow Electronics	2	STB18N60DM2	8,000	1K					1.042	1.042
Verical	2	STB18N60DM2	8,000	1K					1.042	1.042
DigiKey	2	497-16339-1-ND	667	1	Cut Tape	3.600	2.346	1.632	1.327	1.327
TME	2	STB18N60DM2	0	1		2.790	1.960	1.520	1.520	1.520	11h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-01-28

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-09-10

LTD Date2027-03-10

説明

STMicroelectronics STB18N60DM2の詳細は販売業者から提供されます。

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

STMicroelectronics

N-Channel 600 V 0.295 Ohm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Farnell