データシート & ドキュメント
STMicroelectronics STB12NK80ZT4のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート1年前
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB12NK80ZT4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
STMicroelectronicsSTB13NK60ZT4
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A D2PAK Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
説明
STMicroelectronics STB12NK80ZT4の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STB12NK80ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10.5 A, 800 V, 4-PIN D2PAK
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 800 V 0.75 Ohm Surface Mount Zener Protect SuperMesh MosFet-D2PAK
Mosfet, N-Ch, 800V, 10.5A, To-263; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:10.5A; On Resistance Rds(On):0.65Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Current Rating10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Dual Supply Voltage800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.62 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm